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<p class="wp-block-paragraph">SONY 在今天就發佈了新一代的旗艦手棧 SONY Xperia 1 V，在發佈會é 熱時 SONY 已經用了 Next-gen Sensor 來宣傳，到剛剛發佈會上公佈了這部 Xperia 1 V 的主é¡é 將採用全新的次世代雙å€ä½Žå™ªæ„Ÿå…‰å…ƒä»¶ï¼Œé‚£éº¼ç©¶ç«Ÿé€™å€‹æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶æœ‰ç”šéº¼ç‰¹åˆ¥å‘¢ï¼Ÿä»Šæ¬¡å°ç·¨æŸ¥çœ‹äº†ç•¶æ™‚ SONY 所æ交的å¸è¡“論文跟大家拆解å§ï¼</p>



<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<h3 class="wp-block-heading"><strong><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-blue-color">SONY Xperia 1 V 相機模組快看</mark></strong></h3>



<p class="wp-block-paragraph">今次 Xperia 1 V 相機模組其實跟上代的分別ä¸å¤§ï¼Œ16mm çš„ 12MP 1/2.5&#8243; 超廣角é¡é å’Œ 85/1225mm çš„ 12MP 1/3.5&#8243; 真．光å¸è®Šç„¦é•·ç„¦é¡é é…置上å‡æ²’有改變。其ä¸æœ€å¤§çš„主é¡é 由使用了兩代的 SONY IMX557 感光元件改用了全新的「次世代雙å€ä½Žå™ªæ„Ÿå…‰å…ƒä»¶ã€ã€‚</p>



<p class="wp-block-paragraph">這個感光元件 SONY 並沒有公佈型號，åªæ˜¯ç¨±å®ƒç‚ºæ–°ä¸€ä»£çš„ Exmor T æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶ã€‚æ ¹æ“šå®˜æ–¹çš„è³‡æ–™ï¼Œé€™å€‹æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶æ“有 1/1.35&#8243; 感光呎å‹ï¼ŒåŽŸç”Ÿæ“有 5200 è¬åƒç´ ，但是由於元件的比例是 4.3:3，所以剪è£å›ž 4:3 後有效åƒç´ 是 4800 åƒç´ ，但是手機輸出時是強行進行四åˆä¸€å¤§åƒç´ ，所以實際的輸出åƒç´ 為 1200 è¬åƒç´ 。今代的感光元件採用了全新的「雙層電晶體åƒç´ 技術ã€ï¼ˆ2-Layer Transistor Pixel），這個也是今次 Xperia 1 V 主è¦çš„å‡ç´šï¼Œé€éŽé€™å€‹æŠ€è¡“官方指å¯ä»¥åœ¨ä½Žå…‰ç’°å¢ƒä¸‹æ¶ˆæ¸›é›™å€çš„低噪，從而åšåˆ°ã€Œé›™å€ä½Žå™ªã€æ•ˆæžœã€‚</p>



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<h3 class="wp-block-heading"><strong><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-blue-color">甚麼是雙層電晶體åƒç´ 技術？</mark></strong></h3>



<p class="wp-block-paragraph">那麼實際上這個雙層電晶體åƒç´ 技術是甚麼呢？其實這個 2-Layer Transistor Pixel 是 SONY åŠå°Žé«”解決方案集團（Sony Semiconductor Solutions Group，SSS）於去年 6 æœˆç ”ç™¼å‡ºä¾†çš„ï¼Œä¹‹å¾Œ SONY æŠŠç ”ç©¶è«–æ–‡åˆŠç™»åœ¨ Symposium on VLSI Technology &; Circuits，所以我們å¯ä»¥å¾žè«–æ–‡ä¸çªºæŽ¢åˆ°é€™å€‹æŠ€è¡“的原ç†ã€‚</p>



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<h4 class="wp-block-heading"><strong>ä¸€å€‹æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶çš„æ§‹é€ </strong></h4>



<p class="wp-block-paragraph">一個感光元件的發光原ç†æ˜¯å…‰ç·šé€²å…¥åˆ°å…‰é›»äºŒæ¥µç®¡ (Photodiode，PD)，光電二極管是用作接收光的訊號的，接收到光後之後會發é€è¨Šè™Ÿåˆ°åƒç´ 晶體管 (Pixel Transistor) 分é…到電路上與其他åƒç´ 的訊號匯åˆå¾žè€Œç”¢ç”Ÿå½±åƒã€‚</p>



<p class="wp-block-paragraph">ç¾æ™‚å¸‚å ´ä¸Šæ„Ÿå…‰å…ƒä»¶çš„å…‰é›»äºŒæ¥µç®¡ (PD) å’Œåƒç´ 晶體管 (Pixel Transistor) 基本上是並排的，所以一個平é¢ä¸Šå…‰é›»äºŒæ¥µç®¡éœ€è¦é 留空間給予åƒç´ 晶體管，所以其實並ä¸èƒ½ç”¨ç›¡ç™¾åˆ†ç™¾åƒç´ 的空間。</p>


<div class="wp-block-image">
<figure class="aligncenter size-large"><img src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-171304.png" alt="å‚³çµ±æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶çš„æ§‹é€ " class="wp-image-15155"/><figcaption class="wp-element-caption">å‚³çµ±æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶çš„æ§‹é€ </figcaption></figure>
</div>


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<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<h4 class="wp-block-heading"><strong>全新雙層電晶體çµæ§‹</strong></h4>



<p class="wp-block-paragraph">SONY åŠå°Žé«”åœ¨æœ€æ–°çš„ç ”ç™¼ä¸å°±å…‹æœäº†å·¥è—制作和生產時發熱é‡çš„挑戰，以 3D é †åºé›†æˆæŠ€è¡“ (3D Sequential Integration Process) 來把光電二極管與åƒç´ 晶體管分了兩層安è£ï¼Œé€™æ‰æ˜¯æŠ€è¡“å稱「雙層電晶體åƒç´ ã€ä¸ã€Œé›™å±¤ã€çš„æ„æ€ã€‚</p>



<figure class="wp-block-image size-large"><img src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-170943-1024x555.png?v=1683710178" alt="傳統感光元件和 SONY 雙層電晶體感光元件的分別" class="wp-image-15156"/><figcaption class="wp-element-caption">傳統感光元件和 SONY 雙層電晶體感光元件的分別</figcaption></figure>



<figure class="wp-block-image size-full"><img src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-180151.png" alt="ç«‹é¢åœ–顯示了 TRG（傳輸閘門，光電二極管的一部分）和 RST （復ä½æ™¶é«”管，åƒç´ 晶體管的一部分）是分開兩層的" class="wp-image-15159"/><figcaption class="wp-element-caption">ç«‹é¢åœ–顯示了 TRG（傳輸閘門，光電二極管的一部分）和 RST （復ä½æ™¶é«”管，åƒç´ 晶體管的一部分）是分開兩層的</figcaption></figure>



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<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<h4 class="wp-block-heading"><strong>全新防æ¢å…‰ç·šæµå¤±ç‰©æ–™</strong></h4>



<p class="wp-block-paragraph">除了電路的ä½ç½®æ”¹è®Šäº†å¤–，SONY åŠå°Žé«”在「全深槽隔離ã€ä¹ŸæŽ¡ç”¨äº†æ–°æŠ€è¡“。「全深槽隔離ã€(Full Trench Isolations，FTI) 是åƒç´ 之間的間隔，防æ¢å…‰ç·šç”±ä¸€å€‹åƒç´ 走到å¦ä¸€å€‹åƒç´ 上。今次 SONY 就採用了氧化硅作為全深槽隔離的æ料，有助減少光線被間隔牆所å¸æ”¶ã€‚</p>



<figure class="wp-block-image size-full"><img src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-190445.png" alt="å³åœ–展示了 SONY è«–æ–‡ä¸ä½¿ç”¨æ–°ç‰©æ–™å¾Œï¼ˆå³ï¼‰å…‰ç·šæ²’有被間牆所å¸æ”¶

Xperia 1 V" class="wp-image-15161"/><figcaption class="wp-element-caption">å³åœ–展示了 SONY è«–æ–‡ä¸ä½¿ç”¨æ–°ç‰©æ–™å¾Œï¼ˆå³ï¼‰å…‰ç·šæ²’有被間牆所å¸æ”¶</figcaption></figure>



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<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<h3 class="wp-block-heading"><strong><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-blue-color">新架構的æˆæžœï¼šä½Žå…‰ç…§ç‰‡å™ªé»žæ›´å°‘</mark></strong></h3>



<p class="wp-block-paragraph">在經éŽä¸€é€£ä¸²é€™å€‹ã€Œé›™å±¤é›»æ™¶é«”åƒç´ 技術ã€çš„åŠ æŒä¸‹ï¼Œå°æ‹æ”最直觀的æå‡å°±æ˜¯ç›¸æ©Ÿçš„滿阱電è·å®¹é‡ï¼ˆåˆåé›»ä½äº•å®¹é‡ï¼ŒFull-well Capacity FWC）。在開é 時談åŠåˆ°å…¶å¯¦æ‰‹æ©Ÿæ‹æ”的原ç†å°±æ˜¯å…‰é›»äºŒæ¥µç®¡æ”¶åˆ°å…‰ç·šå¾Œæœƒè½‰åŒ–為訊號，而滿阱電è·å®¹é‡å°±æ˜¯æŒ‡æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶ä¸ä¸€å€‹åƒç´ å¯ä»¥å®¹ç´é›»è·ï¼ˆå…‰ç·šï¼‰çš„數é‡ï¼Œç•¶æ»¿é˜±é›»è·å®¹é‡è¶Šå¤§æ™‚，æ‹æ”出來的æˆåƒå°±æœ‰è¶Šå¤§çš„動態範åœã€‚</p>



<p class="wp-block-paragraph">SONY åŠå°Žé«”åœ¨ç ”ç©¶ä¸ä½¿ç”¨äº† 5000 è¬åƒç´ 1.0μmã€æ”¯æ´ Dual PD 的感光元件為例å，其滿阱容é‡é”到驚人的 12000 e-（電è·çš„å–®ä½ï¼‰ã€‚å°æ¯” SONY 一般採用傳統單層的感光元件來說æ•æ‰åˆ°çš„光線上出 3 å€å¤šï¼ä»¥ç¾æ™‚çš„é‡ç”¢ç”¢å“作例å，åŒæ¨£æ”¯æŒ <a href="https://danieltechdiary.com/2022/12/14/high-pixel-focus/#dual-pixel-af"><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-color">Dual PD</mark></a>（全åƒç´ é›™æ ¸å°ç„¦ï¼‰çš„åž‹è™Ÿä¸ 1.2μm 的感光元件æ‰åªé”到 8000 e-ã€‚æ ¹æ“šç·šæ€§ä¼°è¨ˆï¼Œ1.0μm 感光元件的滿阱容é‡å¯èƒ½åªæœ‰ 6000 e-，那麼如果今次 SONY 的新技術真的é”到 12000 e-，那就真的åšåˆ°å¦‚ Xperia 1 V 所說的「次世代<strong>é›™å€ä½Žå™ª</strong>ã€äº†ã€‚</p>



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<div class="wp-block-image">
<figure class="aligncenter size-full"><img src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-205652.png" alt="" class="wp-image-15164"/><figcaption class="wp-element-caption">ä¸Šåœ–ï¼šé›™å±¤æ§‹é€ èˆ‡å–®å±¤æ§‹é€ ä¹‹é–“ FWC 的分別 ä¸‹åœ–ï¼šé›™å±¤æ§‹é€ å°æ¯”一般感光元件的滿阱容é‡ã€‚</figcaption></figure>
</div>


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<p class="wp-block-paragraph">åœ¨ç ”ç©¶åœ˜éšŠçš„æ¸¬è©¦ä¸ï¼Œä¸‹åœ–左邊是使用傳統感光元件æ‹æ”下åªæœ‰åœ¨é«˜é€²å…‰é‡ï¼ˆèƒŒæ™¯ï¼‰éƒ¨åˆ†ä¸‹æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶å·²ç¶“有飽和，但是雙層感光元件則在所有部分å‡æœ‰è‰¯å¥½å’Œæ¸…æ™°çš„å½±åƒã€‚</p>



<figure class="wp-block-jetpack-image-compare"><amp-image-slider layout="responsive" width="471" height="345"> <amp-img id="15167" src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-211131.png" alt="" layout="fill"></amp-img> <amp-img id="15168" src="https://danieltechdiary.com/wp-content/uploads/2023/05/螢幕擷å–ç•«é¢-2023-05-10-211207.png" alt="" layout="fill"></amp-img></amp-image-slider><figcaption>實驗ä¸çš„展示 左：傳統感光元件 å³ï¼šé›™å±¤æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶</figcaption></figure>



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<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<h3 class="wp-block-heading"><strong><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-blue-color">總çµï¼šSONY Xperia 1 V æ‹æ”會更好嗎？</mark></strong></h3>



<p class="wp-block-paragraph">在çµè«–來說，從 SONY 的期刊論文ä¸å¯ä»¥çœ‹åˆ°æ–°ç ”發的雙層電晶體架構的確能ä¿éšœç›¸æ©Ÿåœ¨æ‹æ”時ä¸æœƒå®¹æ˜“出ç¾çˆ†å…‰çš„情æ³å‡ºç¾ï¼Œåœ¨ä½Žå…‰æ™‚也å¯ä»¥é™ä½Žç›¸ç‰‡çš„噪點。所以雖然 Xperia 1 V 的感光元件雖然沒有說應用了 1 å‹å…ƒä»¶ï¼Œä½†æ˜¯æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶èƒŒå¾Œçš„技術所帶來的å‡ç´šä¹Ÿä¸å®¹å¿½è¦–。</p>



<p class="wp-block-paragraph">ä¸éŽèªªåˆ°åº•ä»Šæ—¥å°ç·¨è·Ÿå¤§å®¶åˆ†äº«çš„都åªæ˜¯ SONY 在論文上的ç†è«–，é‡ç”¢æ™‚å¯èƒ½å¯¦éš›çš„æ§‹é€ ä¹Ÿæœƒè·Ÿç†è«–有所ä¸åŒã€‚ä¸éŽè¿‘幾年ä¸åŒå» å•†ä¹Ÿè‡´åŠ›åœ¨æ§‹é€ ä¸Šæ”¹å–„æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶çš„æ€§èƒ½ï¼Œé™¤äº† SONY 的雙層電晶體åƒç´ 技術外，三星也在 Galaxy S23 Ultra çš„ ISOCELL HP2 ä¸ŠåŠ å…¥çš„ D-VTG 也是å¦å¤–一個æå‡æ‹æ”效果的性能，所以雖然ä¸æ˜¯æ¯å€‹å» 商都追求一å‹å…ƒä»¶ï¼Œä¸éŽåœ¨æœªä¾†ä¸åŒæ‰‹æ©Ÿå¯ä»¥ä¹Ÿæœƒé–‹å§‹æ“有差異化的相機模組。å°ç·¨å°±çœ‹çœ‹æœªä¾†èƒ½ä¸èƒ½å€Ÿåˆ° Xperia 1 V 真機為大家進行評測å§ï¼</p>



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<div style="height:20px" aria-hidden="true" class="wp-block-spacer"></div>



<p class="wp-block-paragraph"><a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9830372"><mark style="background-color:rgba(0, 0, 0, 0)" class="has-inline-color has-dark-color">資料來æº</mark></a>：</p>



<p class="wp-block-paragraph">K. Zaitsu et al., &#8220;A 2-Layer Transistor Pixel Stacked CMOS Image Sensor with Oxide-Based Full Trench Isolation for Large Full Well Capacity and High Quantum Efficiency,&#8221; <em>2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)</em>, Honolulu, HI, USA, 2022, pp. 286-287</p>
<div class="b251a5ab27c10f4b5a7c0e69cd5b991d" data-index="2" style="float: none; margin:20px 0 20px 0; text-align:center;">
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<div style="font-size: 0px; height: 0px; line-height: 0px; margin: 0; padding: 0; clear: both;"></div>
從論文跟大家分析 SONY Xperia 1 V 的次世代感光元件！
